图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTHD4P02F |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Diode (Isolated) |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SMD, Flat Lead |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8Chip FET |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 2.2 A |
| RDS -于 | 155@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 7 ns |
| 典型上升时间 | 13 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 典型下降时间 | 27 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 标准包装 | Cut Tape |
| FET特点 | Diode (Isolated) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.2A (Tj) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| 供应商设备封装 | ChipFET™ |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 300pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 6nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTHD4P02FT1GOSCT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | - 3 A |
| 正向跨导 - 闵 | 5 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 200 mOhms |
| 功率耗散 | 1.1 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 13 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 13 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
| 宽度 | 1.65 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| 类型 | MOSFET |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 3 A |
| 长度 | 3.05 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 200 mOhms |
| 系列 | NTHD4P02 |
| 身高 | 1.05 mm |
| Pd - Power Dissipation | 1.1 W |
| 技术 | Si |
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